IRF8721TRPBF Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 14 A, Package Type: SOIC, Maximum Power Dissipation: 2.5 W, Mounting Type: Surface Mount, Width: 4mm, Forward Transconductance: 27s, Height: 1.5mm, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 5mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns, Series: HEXFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V, Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m?, Maximum Drain Source Voltage: 30 V, Pin Count: 8, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1V, Вес, г: 0.15, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRF8721TRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 103 ₽ за штуку. Купите IRF8721TRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRF8721TRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF8721TRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.