IRF7842TRPBF Infineon
Описание
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 18 А, Тип корпуса: SOIC, Максимальное рассеяние мощности: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 4мм, Высота: 1.5мм, Размеры: 5 x 4 x 1.5мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 5мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 14 ns, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 21 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.25V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V, Максимальное сопротивление сток-исток: 5.9 m?, Максимальное напряжение сток-исток: -40 В, Число контактов: 8, Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4500 пФ при 20 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Вес, г: 0.15, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF7842TRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите IRF7842TRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF7842TRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF7842TRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.