IRF7309TRPBF Infineon

Структура: NиP-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30/-30, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4/-3, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4, Корпус: so8, Крутизна характеристики S,А/В: 5.2, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50/100, Температура, С: -55…+150, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N|P, Configuration: Dual Dual Drain, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Continuous Drain Current (A): 4 N Channel|3 P Channel, Maximum Drain Source Resistance (MOhm): 50 10V N Channel|100 10V P Channel, Maximum Drain Source Voltage (V): 30, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 1400, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Surface Mount, Number of Elements per Chip: 2, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Active, PCB changed: 8, Pin Count: 8, PPAP: No, Process Technology: HEXFET, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC, Typical Fall Time (ns): 7.7 N Channel|18 P Channel, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 25(Max)4.5V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 520 15V N Channel|440 15V P Channel, Typical Rise Time (ns): 21 N Channel|17 P Channel, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 22 N Channel|25 P Channel, Typical Turn-On Delay Time (ns): 6.8 N Channel|11 P Channel, Brand: Infineon, Количество элементов на ИС: 2, Конфигурация транзистора: Изолированный, Максимальная рабочая температура: +150 C, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Максимальное напряжение сток-исток: 30 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 1V, Максимальное рассеяние мощности: 1.4 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 80 м?, 160 м?, Максимальный непрерывный ток стока: 3 A, 4 A, Материал транзистора: Кремний, Минимальная рабочая температура: -55 C, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V, Номер канала: Поднятие, Серия: HEXFET, Тип канала: N, P, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Типичный заряд затвора при Vgs: 25 нКл при 4.5 В, Число контактов: 8, Ширина: 4мм, MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1, Диапазон рабочих температур: -55…+150 С, Заряд: затвора(Qg)-25 нКл, Мощность: рассеиваемая(Pd)-1.4 Вт, Напряжение: пороговое затвора(Vgs th)-1В, Способ монтажа: поверхностный(SMT), Тип: МОП-Транзистор, кремниевый, P-канал и N-канал, Упаковка: REEL, 4000 шт., Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRF7309TRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 141 ₽ за штуку. Купите IRF7309TRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRF7309TRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF7309TRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.