IRF630NSTRLPBF Infineon
Описание
Maximum Operating Temperature: +175 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Single, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 9.3 A, Package Type: D2PAK (TO-263), Maximum Power Dissipation: 82 W, Series: HEXFET, Mounting Type: Surface Mount, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 11.3mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Height: 4.83mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Maximum Drain Source Resistance: 300 m?, Maximum Drain Source Voltage: 200 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1.3V, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF630NSTRLPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 259 ₽ за штуку. Купите IRF630NSTRLPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF630NSTRLPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF630NSTRLPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.