IRF540NLPBF Infineon

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Maximum Continuous Drain Current: 33 A, Package Type: I2PAK (TO-262), Maximum Power Dissipation: 130 W, Mounting Type: Through Hole, Width: 4.83mm, Forward Transconductance: 21s, Height: 9.65mm, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 9.65mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 11 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 39 ns, Series: HEXFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Drain Source Resistance: 44 m?, Maximum Drain Source Voltage: 100 V, Pin Count: 3, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 1960 pF @ 25 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1.2V, Base Product Number: IRF540 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 33A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-262, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +175 C, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Максимальное рассеяние мощности: 130 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 44 м?, Максимальный непрерывный ток стока: 33 A, Материал транзистора: Кремний, Минимальная рабочая температура: -55 C, Номер канала: Поднятие, Прямое напряжение диода: 1.2V, Серия: HEXFET, Страна происхождения: CN, Тип канала: N, Тип корпуса: I2PAK(TO-262), Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Типичный заряд затвора при Vgs: 71 нКл при 10 В, Число контактов: 3, Ширина: 4.83мм, Transistor Mounting: Through Hole, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Линейка Продукции: HEXFET, Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 100В, Непрерывный Ток Стока: 33А, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 4В, Рассеиваемая Мощность: 140Вт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.044Ом, Стиль Корпуса Транзистора: TO-262, Вес, г: 1.58, Бренд: Infineon Technologies

IRF540NLPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 635 ₽ за штуку. Купите IRF540NLPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRF540NLPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF540NLPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.