IRF2805STRLPBF Infineon
Описание
Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 135 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 200 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 14 ns, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 68 нс, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 4,7 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 55 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 150 нКл, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 5110 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF2805STRLPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 282 ₽ за штуку. Купите IRF2805STRLPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF2805STRLPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF2805STRLPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.