IRF1405ZPBF Infineon

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 150 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 230 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 16.51мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 16.51мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 18 нс, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 48 нс, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 4,9 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 55 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 120 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4780 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Length: 10.67mm, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Infineon, Series: HEXFET, Максимальное пороговое напряжение включения: 4V, Минимальное пороговое напряжение включения: 2V, Height: 16.51mm, Maximum Drain Source Voltage: 55 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 120 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 150 A, Pd - рассеивание мощности: 230 W, Qg - заряд затвора: 120 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.9 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 55 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Base Product Number: IRF1405 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 75A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Бренд: Infineon Technologies

IRF1405ZPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 188 ₽ за штуку. Купите IRF1405ZPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRF1405ZPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF1405ZPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.