IRF1010ZSTRLPBF Infineon
Описание
Maximum Operating Temperature: +175 °C, Maximum Continuous Drain Current: 94 A, Package Type: D2PAK (TO-263), Maximum Power Dissipation: 140 W, Mounting Type: Surface Mount, Width: 11.3mm, Forward Transconductance: 33s, Height: 4.83mm, Dimensions: 10.67 x 11.3 x 4.83mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 18 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 36 ns, Series: HEXFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Maximum Drain Source Resistance: 7.5 m?, Maximum Drain Source Voltage: 55 V, Pin Count: 3, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 2840 pF @ 25 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1.3V, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF1010ZSTRLPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 176 ₽ за штуку. Купите IRF1010ZSTRLPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF1010ZSTRLPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF1010ZSTRLPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.