IRF100B202 Infineon
Описание
Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 97 A, Тип корпуса: TO-220, Максимальное рассеяние мощности: 221 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Прямая активная межэлектродная проводимость: 123S, Высота: 16.51мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 16.51мм, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Типичное время задержки включения: 11 ns, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 55 нс, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 8,6 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3+Tab, Типичный заряд затвора при Vgs: 77 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4476 пФ при 50 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Прямое напряжение диода: 1.3V, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF100B202 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 376 ₽ за штуку. Купите IRF100B202 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF100B202 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF100B202 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.