IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 21А, 192Вт, PG-TO220 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 21 A, Package Type: TO-220, Maximum Power Dissipation: 192 W, Mounting Type: Through Hole, Width: 4.57mm, Height: 9.45mm, Dimensions: 10.36 x 4.57 x 9.45mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.36mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 12 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns, Series: CoolMOS CP, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Drain Source Resistance: 400 m?, Maximum Drain Source Voltage: 600 V, Pin Count: 3, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 2000 pF @ 100 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1.2V, Вес, г: 2.07, Бренд: Infineon Technologies

IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 3 410 ₽ за штуку. Купите IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.