IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 5А, 24,9Вт, TO220FP Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 8.5 A, Pd - рассеивание мощности: 24.9 W, Qg - заряд затвора: 10.5 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 490 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 700 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 5.5 ns, Время спада: 23 ns, Другие названия товара №: IPAN70R600P7S SP001682068, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: CoolMOS, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: CoolMOS P7, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 63 ns, Типичное время задержки при включении: 14 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.19, Бренд: Infineon Technologies

IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 753 ₽ за штуку. Купите IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.