IGW50N60H3FKSA1 Infineon

Automotive: No, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Through Hole, Maximum Collector-Emitter Voltage (V): 600, Maximum Continuous Collector Current (A): 100, Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA): 0.1, Maximum Gate Emitter Voltage (V): ±20, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 333000, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Packaging: Tube, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Standard Package Name: TO-247, Supplier Package: TO-247, Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V): 1.85, Максимальная рабочая температура: +175 °C, Длина: 16.13мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Infineon, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 100 А, Тип корпуса: TO-247, Максимальное рассеяние мощности: 333 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 5.21мм, Высота: 21.1мм, Число контактов: 3, Размеры: 16.13 x 5.21 x 21.1мм, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Бренд: Infineon Technologies

IGW50N60H3FKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 2 822 ₽ за штуку. Купите IGW50N60H3FKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGW50N60H3FKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW50N60H3FKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.