IGW30N60TPXKSA1 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 200 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IGW30N60TP SP001379674, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 53 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: Trenchstop Performance, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Brand: Infineon, Емкость затвора: 1050пФ, Количество транзисторов: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальное рассеяние мощности: 200 Вт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 53 А, Номинальная энергия: 1.13mJ, Скорость переключения: 30кГц, Страна происхождения: CN, Тип канала: N, Тип корпуса: TO-247, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Число контактов: 3, Бренд: Infineon Technologies

IGW30N60TPXKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 117 ₽ за штуку. Купите IGW30N60TPXKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGW30N60TPXKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW30N60TPXKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.