IGB30N60H3 Infineon
Описание
Максимальная рабочая температура: +175 °C, Длина: 10.31мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Infineon, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 30 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 187 W, Energy Rating: 1.55mJ, Тип монтажа: Surface Mount, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 9.45мм, Высота: 4.57мм, Число контактов: 3+Tab, Размеры: 10.31 x 9.45 x 4.57мм, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Емкость затвора: 1630пФ, Вес, г: 1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IGB30N60H3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 352 ₽ за штуку. Купите IGB30N60H3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IGB30N60H3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGB30N60H3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.