FF150R12KE3G Infineon
Описание
Pd - рассеивание мощности: 780 W, RoHS: N, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.5 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Вес, г: 340, Бренд: Infineon Technologies
FF150R12KE3G – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 39 020 ₽ за штуку. Купите FF150R12KE3G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить FF150R12KE3G Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF150R12KE3G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.