BSS806NEH6327XTSA1 транзистор Infineon
Описание
Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 2.9мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 2,3 А, Package Type: SOT-23, Maximum Power Dissipation: 500 mW, Серия: OptiMOS 2, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 1.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 0.75V, Высота: 1мм, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.3V, Maximum Drain Source Resistance: 82 m?, Maximum Drain Source Voltage: 20 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -8 V, +8 V, Вес, г: 0.02, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
BSS806NEH6327XTSA1 транзистор – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 115 ₽ за штуку. Купите BSS806NEH6327XTSA1 транзистор по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить BSS806NEH6327XTSA1 транзистор Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSS806NEH6327XTSA1 транзистор вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.