BSP320SH6327XTSA1 Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 1.8 W, Qg - заряд затвора: 12 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 35 ns, Высота: 1.6 mm, Длина: 6.5 mm, Другие названия товара №: BSP320S H6327 SP001058768, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.5 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: BSP320, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 25 ns, Типичное время задержки при включении: 11 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: SOT-223-4, Ширина: 3.5 mm, Base Product Number: BSP320 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2.9A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: SIPMOSв„ў ->, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20ВµA, Brand: Infineon, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 4V, Максимальное рассеяние мощности: 1.8 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 120 м?, Максимальный непрерывный ток стока: 2.9 А, Материал транзистора: Кремний, Минимальное пороговое напряжение включения: 2.1V, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Тип корпуса: SOT-223, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Типичный заряд затвора при Vgs: 9.7 нКл при 10 В, Число контактов: 3+Tab, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 2.9A(Tj), Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 1.8W, Rds On - Drain-Source Resistance: 120mО© @ 2.9A,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60V, Vgs - Gate-Source Voltage: 4V @ 20uA, Вес, г: 0.18, Бренд: Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите BSP320SH6327XTSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить BSP320SH6327XTSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSP320SH6327XTSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.