BC859C-E6327 Infineon
Описание
Pd - рассеивание мощности: 330 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: BC859CE6327XT SP000010637 BC859CE6327HTSA1, Категория продукта: Биполярные транзисторы-BJT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: +150 C, Максимальный постоянный ток коллектора: 0.1 A, Минимальная рабочая температура: -65 C, Напряжение коллектор-база (VCBO): 30 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 30 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 650 mV, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V, Непрерывный коллекторный ток: 0.1 A, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: PNP, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz, Производитель: Infineon, Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BC859, Технология: Si, Тип продукта: BJTs-Bipolar Transistors, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: SOT-23-3, Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
BC859C-E6327 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 7 ₽ за штуку. Купите BC859C-E6327 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить BC859C-E6327 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BC859C-E6327 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.