1EDN7512GXTMA1 Infineon

Количество каналов: 1канал(-ов), Минимальная Рабочая Температура: -40 C, Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Максимальное Напряжение Питания: 20В, Минимальное Напряжение Питания: 4.5В, Количество Выводов: 6вывод(-ов), Стиль Корпуса Привода: WSON, Задержка по Входу: 19нс, Задержка Выхода: 19нс, Пиковый Выходной Ток: 8А, Конфигурация Привода: Низкая Сторона, Линейка Продукции: EiceDRIVER 1EDN Series, Input Type: Inverting, Non-Inverting, Power Switch Type: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, Sink Current: 8А, Source Current: 4А, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 6.5 ns, Время спада: 4.5 ns, Выходной ток: 8 A, Другие названия товара №: 1EDN7512G SP001491590, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Коммерческое обозначение: EiceDRIVER, Конфигурация: Inverting, Non-Inverting, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное время задержки включения: 25 ns, Максимальное время задержки выключения: 25 ns, Минимальная рабочая температура: - 40 C, Напряжение питания - макс.: 20 V, Напряжение питания - мин.: 4.5 V, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: IGBT, MOSFET Gate Drivers, Производитель: Infineon, Размер фабричной упаковки: 4000, Серия: 1EDN, Технология: Si, Тип продукта: Gate Drivers, Тип: Low Side, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: WSON-6, Automotive: No, Bridge Type: Half Bridge, Driver Configuration: Inverting|Non-Inverting, Driver Type: Low Side, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Input Logic Compatibility: CMOS|TTL|3.3V, Latch-Up Proof: No, Lead Shape: No Lead, Maximum Fall Time (ns): 4.5(Typ), Maximum Operating Supply Voltage (V): 20, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Propagation Delay Time (ns): 19(Typ), Maximum Rise Time (ns): 6.5(Typ), Minimum Operating Supply Voltage (V): 4.5, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Mounting: Surface Mount, Number of Drivers: 2, Number of Outputs: 2, Output Resistance (Ohm): 0.35|0.85, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Active, PCB changed: 6, Pin Count: 6, PPAP: No, Special Features: Under Voltage Lockout, Standard Package Name: SON, Supplier Package: WSON EP, Type: IGBT|MOSFET, Typical Input High Threshold Voltage (V): 2.1, Typical Input Low Threshold Voltage (V): 1, Вес, г: 0.45, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

1EDN7512GXTMA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите 1EDN7512GXTMA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить 1EDN7512GXTMA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на 1EDN7512GXTMA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.