IRFBC30A Infineon

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74, Корпус: to220ab, Крутизна характеристики S,А/В: 2.1, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 3.6 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 74 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 9.8 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 19 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 2.2 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 23 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 510 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 3.6 A, Pd - рассеивание мощности: 74 W, Qg - заряд затвора: 23 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.2 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: IRFBC, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Base Product Number: IRFBC30 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 3.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Other Related Documents: http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf, Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250ВµA, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRFBC30A – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 329 ₽ за штуку. Купите IRFBC30A по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRFBC30A Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRFBC30A вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.