- Олниса
- →
- Производители
- >
- Infineon
- >
- MOSFETs
IRF7329TRPBF Infineon
Описание
Id - непрерывный ток утечки: 9.2 A, Pd - рассеивание мощности: 2 W, Qg - заряд затвора: 57 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 17 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 12 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 8 V, + 8 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 900 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 8.6 ns, Время спада: 260 ns, Высота: 1.75 mm, Длина: 4.9 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 2 Channel, Конфигурация: Dual, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 25 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 4000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 2 P-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка / блок: SO-8, Ширина: 3.9 mm, Вес, г: 0.15, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRF7329TRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 165 ₽ за штуку. Купите IRF7329TRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRF7329TRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRF7329TRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.