IPP042N03LGXKSA1 Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 70 A, Pd - рассеивание мощности: 79 W, Qg - заряд затвора: 18 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.5 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 5.6 ns, Время спада: 4.4 ns, Высота: 15.65 mm, Длина: 10 mm, Другие названия товара №: G IPP042N03L IPP42N3LGXK SP000680792, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: OptiMOS, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 44 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: OptiMOS 3, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 28 ns, Типичное время задержки при включении: 7.4 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.4 mm, Base Product Number: IPP042 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 70A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 15V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: OptiMOSв„ў ->, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250ВµA, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Maximum Continuous Drain Current (A): 70, Maximum Drain Source Resistance (MOhm): 4.2 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 30, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Operating Temperature (°C): 175, Maximum Power Dissipation (mW): 79000, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Number of Elements per Chip: 1, Packaging: Tube, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Process Technology: OptiMOS, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: TO-220, Supplier Package: TO-220, Typical Fall Time (ns): 4.4, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 18 4.5V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 2900 15V, Typical Rise Time (ns): 5.6, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 28, Typical Turn-On Delay Time (ns): 7.4, Вес, г: 2.08, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IPP042N03LGXKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 235 ₽ за штуку. Купите IPP042N03LGXKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IPP042N03LGXKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IPP042N03LGXKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.