IPA65R650CEXKSA1 Infineon

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.65mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Максимальный непрерывный ток стока: 10.1 A, Package Type: TO-220FP, Максимальное рассеяние мощности: 86 W, Серия: CoolMOS, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Width: 4.9mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 3.5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2.5V, Height: 16.15mm, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.4 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 650 V, Pin Count: 3 + Tab, Типичный заряд затвора при Vgs: 23 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Forward Diode Voltage: 0.9V, Id - непрерывный ток утечки: 10.1 A, Pd - рассеивание мощности: 28 W, Qg - заряд затвора: 23 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 650 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 11 ns, Высота: 16.15 mm, Длина: 10.65 mm, Другие названия товара №: IPA65R650CE SP001295804, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: CoolMOS, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 64 ns, Типичное время задержки при включении: 10 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.85 mm, Base Product Number: IPA65R650 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 7A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: CoolMOSв„ў CE ->, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210ВµA, Вес, г: 2.14, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IPA65R650CEXKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 259 ₽ за штуку. Купите IPA65R650CEXKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IPA65R650CEXKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IPA65R650CEXKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.