BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 540 мА, Package Type: SOT-23, Maximum Power Dissipation: 360 мВт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.3мм, Высота: 1мм, Transistor Material: Кремний, Number of Elements per Chip: 1, Длина: 2.9мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Infineon, Series: OptiMOS, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Максимальное пороговое напряжение включения: 2V, Минимальное пороговое напряжение включения: 1.2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 825 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 55 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 1,7 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 540 mA, Pd - рассеивание мощности: 360 mW, Qg - заряд затвора: 1.7 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 650 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 55 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 24 ns, Другие названия товара №: BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Квалификация: AEC-Q101, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 600 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BSS670S2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 21 ns, Типичное время задержки при включении: 9 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: SOT-23-3, Base Product Number: BSS670 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 540mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26nC @ 10V, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-23-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7ВµA, Вес, г: 0.02, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

BSS670S2LH6327XTSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 24 ₽ за штуку. Купите BSS670S2LH6327XTSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSS670S2LH6327XTSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.