AUIRF1404Z Infineon

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 180 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 200 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 16.51мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 16.51мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 18 нс, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 36 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3,7 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 40 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 100 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4340 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Структура: N-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 3.7, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200, Крутизна характеристики S,А/В: 170, Температура, С: -55...+175, Корпус: TO220AB, Id - непрерывный ток утечки: 180 A, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Qg - заряд затвора: 100 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.7 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 110 ns, Время спада: 58 ns, Другие названия товара №: SP001520218, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Квалификация: AEC-Q101, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 18 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Base Product Number: AUIRF1404 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 160A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HEXFETВ® ->, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Вес, г: 1.96, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

AUIRF1404Z – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 600 ₽ за штуку. Купите AUIRF1404Z по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить AUIRF1404Z Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на AUIRF1404Z вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.