IR2111STRPBF Infineon
Описание
Automotive: No, Bridge Type: Half Bridge, Driver Configuration: Inverting|Non-Inverting, Driver Type: High and Low Side, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, High and Low Sides Dependency: Synchronous, Input Logic Compatibility: CMOS, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Fall Time (ns): 65, Maximum Operating Supply Voltage (V): 20, Maximum Operating Temperature (°C): 125, Maximum Power Dissipation (mW): 625, Maximum Propagation Delay Time (ns): 950, Maximum Rise Time (ns): 130, Maximum Supply Current (mA): 0.18, Maximum Turn-Off Delay Time (ns): 30(Typ), Maximum Turn-On Delay Time (ns): 30(Typ), Minimum Operating Supply Voltage (V): 10, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Mounting: Surface Mount, Number of Drivers: 2, Number of Outputs: 2, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Active, PCB changed: 8, Peak Output Current (A): 0.5(Typ), Pin Count: 8, PPAP: No, Reference Voltage (V): 600(Max), Special Features: Under Voltage Lockout, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC N, Type: MOSFET|IGBT, Typical Input High Threshold Voltage (V): 8.6, Typical Input Low Threshold Voltage (V): 8.2, Pd - рассеивание мощности: 625 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 130 ns, Время спада: 65 ns, Высота: 1.5 mm, Выходное напряжение: 10 V to 20 V, Выходной ток: 500 mA, Длина: 5 mm, Другие названия товара №: SP001536780, Задержка распространения - макс.: 950 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 2 Output, Количество драйверов: 2 Driver, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное время задержки включения: 950 ns, Максимальное время задержки выключения: 180 ns, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 20 V, Напряжение питания - мин.: 10 V, Особенности: Synchronous, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: Half-Bridge Drivers, Рабочий ток источника питания: 180 uA, Размер фабричной упаковки: 2500, Технология: Si, Тип: High Side/Low Side, Тип логики: CMOS, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка / блок: SOIC-8, Ширина: 4 mm, Base Product Number: IR2111 ->, Channel Type: Synchronous, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Driven Configuration: Half-Bridge, ECCN: EAR99, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V, HTSUS: 8542.39.0001, Input Type: Non-Inverting, Logic Voltage - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 2 (1 Year), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width), REACH Status: REACH Unaffected, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 8-SOIC, Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Бренд: Infineon Technologies
IR2111STRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 152 ₽ за штуку. Купите IR2111STRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IR2111STRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IR2111STRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.