IRG7PH35UD-EP Infineon

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Maximum Collector Emitter Voltage: 1200 В, Maximum Continuous Collector Current: 50 A, Тип корпуса: TO-247AD, Maximum Power Dissipation: 180 Вт, Номинальная энергия: 2150µJ, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Число контактов: 3, Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм, Switching Speed: 1МГц, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±30V, Тип канала: N, Gate Capacitance: 1940пФ, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 15.87mm, Package Type: TO-247AD, Energy Rating: 2150µJ, Mounting Type: Through Hole, Width: 5.31mm, Height: 20.7mm, Pin Count: 3, Dimensions: 15.87 x 5.31 x 20.7mm, Maximum Gate Emitter Voltage: ±30V, Channel Type: N, Pd - рассеивание мощности: 180 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 400, Серия: Rectifier Diode Module, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRG7PH35UD-EP – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 282 ₽ за штуку. Купите IRG7PH35UD-EP по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRG7PH35UD-EP Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRG7PH35UD-EP вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.