IGW75N60H3 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 428 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IGW75N6H3XK SP000906804 IGW75N60H3FKSA1, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 140 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: HighSpeed 3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Brand: Infineon, Емкость затвора: 4620пФ, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальное рассеяние мощности: 428 Вт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 75 A, Номинальная энергия: 6.2mJ, Страна происхождения: MY, Тип канала: N, Тип корпуса: TO-247, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Число контактов: 3, Вес, г: 6, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IGW75N60H3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 2 540 ₽ за штуку. Купите IGW75N60H3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGW75N60H3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW75N60H3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.