IGW50N65F5 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 305 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: SP000973426 IGW50N65F5FKSA1, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: TRENCHSTOP 5 F5, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Длина: 16.13мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Infineon, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 650 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 50 A, Тип корпуса: TO-247, Максимальное рассеяние мощности: 305 W, Energy Rating: 0.65mJ, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.21мм, Высота: 21.1мм, Число контактов: 3, Размеры: 16.13 x 5.21 x 21.1мм, Тип канала: N, Емкость затвора: 3000пФ, Вес, г: 6.055, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IGW50N65F5 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 635 ₽ за штуку. Купите IGW50N65F5 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGW50N65F5 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW50N65F5 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.