IGP10N60T Infineon

Pd - рассеивание мощности: 110 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 9.25 mm, Длина: 10 mm, Другие названия товара №: IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: TRENCHSTOP IGBT, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.4 mm, Вес, г: 6, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IGP10N60T – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 529 ₽ за штуку. Купите IGP10N60T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGP10N60T Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGP10N60T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.