IGB30N60T Infineon

Pd - рассеивание мощности: 187 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 4.4 mm, Длина: 10 mm, Другие названия товара №: IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.95 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: TRENCHSTOP IGBT, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.25 mm, Вес, г: 2, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IGB30N60T – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 082 ₽ за штуку. Купите IGB30N60T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGB30N60T Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGB30N60T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.