IGB15N65S5ATMA1 Infineon

Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263 (D2PAK), Рассеиваемая Мощность: 105Вт, DC Ток Коллектора: 35А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.35В, Линейка Продукции: TRENCHSTOP 5 Series, Pd - рассеивание мощности: 105 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: IGB15N65S5 SP001502560, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.35 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 35 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 35 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Reel, Cut Tape, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 0.1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IGB15N65S5ATMA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 659 ₽ за штуку. Купите IGB15N65S5ATMA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IGB15N65S5ATMA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGB15N65S5ATMA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.