FS50R07W1E3_B11A Infineon

Pd - рассеивание мощности: 205 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: FS50R07W1E3B11ABOMA1 SP000865118, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 70 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Серия: FS50R07W1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: EasyPack1B, Вес, г: 24, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FS50R07W1E3_B11A – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 14 959 ₽ за штуку. Купите FS50R07W1E3_B11A по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FS50R07W1E3_B11A Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FS50R07W1E3_B11A вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.