FP35R12U1T4 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 250 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Другие названия товара №: FP35R12U1T4BPSA1 SP000663678, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: PIM 3-Phase Input Rectifier, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 54 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 30, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: SmartPIM1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FP35R12U1T4 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 32 117 ₽ за штуку. Купите FP35R12U1T4 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FP35R12U1T4 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP35R12U1T4 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.