FP150R12KT4P Infineon

Pd - рассеивание мощности: 20 mW, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: FP150R12KT4PBPSA1 SP001603798, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Hex, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.75 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 150 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 6, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: EconoPIM 3, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FP150R12KT4P – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 79 839 ₽ за штуку. Купите FP150R12KT4P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FP150R12KT4P Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP150R12KT4P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.