FF50R12RT4 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 285 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Другие названия товара №: FF50R12RT4HOSA1 SP000624912, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Вес, г: 160, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FF50R12RT4 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 805 ₽ за штуку. Купите FF50R12RT4 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FF50R12RT4 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF50R12RT4 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.