FF150R12KT3G Infineon

Pd - рассеивание мощности: 780 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.9 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: SP000100788 FF150R12KT3GHOSA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - T3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Вес, г: 340, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FF150R12KT3G – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 30 835 ₽ за штуку. Купите FF150R12KT3G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FF150R12KT3G Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF150R12KT3G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.