FF150R12KS4 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 1.25 kW, RoHS: N, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.5 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: SP000100706 FF150R12KS4HOSA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.2 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: IGBT2 Fast, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Вес, г: 340, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

FF150R12KS4 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 33 857 ₽ за штуку. Купите FF150R12KS4 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить FF150R12KS4 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF150R12KS4 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.