- Олниса
- →
- Производители
- >
- Infineon
- >
- IGBTs
FF150R12KE3G_B2 Infineon
Описание
Другие названия товара №: FF150R12KE3GB2HOSA1 SP000100759, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Brand: Infineon, Конфигурация: Серия, Конфигурация транзистора: Серия, Максимальная рабочая температура: +125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальное рассеяние мощности: 780 Вт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 225 A, Минимальная рабочая температура: -40 C, Скорость переключения: 1МГц, Тип канала: N, Тип корпуса: Модуль 62MM, Тип монтажа: Монтаж на панель, Число контактов: 7, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FF150R12KE3G_B2 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 30 835 ₽ за штуку. Купите FF150R12KE3G_B2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить FF150R12KE3G_B2 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF150R12KE3G_B2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.