F3L75R12W1H3_B27 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 275 W, Вид монтажа: Clamp, Другие названия товара №: F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: 3-Phase, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: EasyPack1B, Вес, г: 24, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

F3L75R12W1H3_B27 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 16 346 ₽ за штуку. Купите F3L75R12W1H3_B27 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить F3L75R12W1H3_B27 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на F3L75R12W1H3_B27 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.