BSM75GAL120DN2 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 625 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.5 mm, Длина: 94 mm, Другие названия товара №: SP000106455 BSM75GAL120DN2HOSA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Half Bridge, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Half Bridge GAL 1, Ширина: 34 mm, Вес, г: 236.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

BSM75GAL120DN2 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 26 284 ₽ за штуку. Купите BSM75GAL120DN2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить BSM75GAL120DN2 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSM75GAL120DN2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.