BSM200GA120DN2 Infineon

Pd - рассеивание мощности: 1550 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 36.5 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: BSM200GA120DN2HOSA1 SP000100725, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 300 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Brand: Infineon, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальное рассеяние мощности: 1.55 кВт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 300 A, Страна происхождения: SG, Тип канала: N, Тип корпуса: Модуль 62MM, Тип монтажа: Монтаж на панель, Число контактов: 5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

BSM200GA120DN2 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 43 665 ₽ за штуку. Купите BSM200GA120DN2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить BSM200GA120DN2 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSM200GA120DN2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.