FDPF12N50T Fairchild
Описание
Id - непрерывный ток утечки: 6.9 A, Pd - рассеивание мощности: 165 W, Qg - заряд затвора: 30 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 550 mOhms, Vds - напряение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряение затвор-исток: 3 V, Вид монтаа: Through Hole, Время нарастания: 50 ns, Время спада: 30 ns, Высота: 16.07 mm, Длина: 10.36 mm, Канальный реим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: FDPF12N50T, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задерки выключения: 45 ns, Типичное время задерки при включении: 24 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.9 mm, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 11.5A(Tc), Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 42W(Tc), Rds On - Drain-Source Resistance: 650mО© @ 6A,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500V, Vgs - Gate-Source Voltage: 5V @ 250uA, Вес, г: 1.5, Бренд: ON Semiconductor
FDPF12N50T – артикул товара бренда Fairchild с розничной ценой 1 223 ₽ за штуку. Купите FDPF12N50T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Fairchild для наших постоянных клиентов.
Купить FDPF12N50T Fairchild в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Fairchild и уточнить персональную цену на FDPF12N50T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.