1100663

DS1230Y-100+, NV SRAM 256Кбит Com DIP28The DS1230Y-100+ is a 256k Non-volatile SRAM is 262.144-bit, fully static, non-volatile SRAMs organized as 32.768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1230 devices can be used in place of existing 32k x 8 static RAMs directly conforming to the popular byte wide 28-pin DIP standard. The DIP devices also match the pinout of 28256 EEPROMs, allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing., 10-year Minimum data retention in absence of external power, Data is automatically protected during power loss, Replaces 32k x 8 volatile static RAM, EEPROM or flash memory, Unlimited write cycles, Low-power CMOS, Full ±10% VCC operating range

1100663 – артикул товара с розничной ценой 3 261 ₽ за штуку. Купите 1100663 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию для наших постоянных клиентов.

Купить 1100663 в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги и уточнить персональную цену на 1100663 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.