ZXMN3F30FHTA Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 4.6 A, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 1,4 Вт, Тип монтажа: Surface Mount, Ширина: 1.4мм, Высота: 1.12мм, Размеры: 3.04 x 1.4 x 1.12мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3.04мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 1,6 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 17 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 65 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 30 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 7,7 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 318 пФ при 15 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 4,6 А, Package Type: SOT-23, Height: 1.12мм, Length: 3.04мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: DiodesZetex, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Максимальное пороговое напряжение включения: 3V, Maximum Drain Source Resistance: 65 м?, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 7,7 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 3.8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318pF @ 15V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-23-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250ВµA, Automotive: No, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Continuous Drain Current (A): 3.8, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 47 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 30, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 1400, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Surface Mount, Number of Elements per Chip: 1, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Active, PCB changed: 3, PPAP: No, Process Technology: TMOS, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: SOT-23, Supplier Package: SOT-23, Typical Fall Time (ns): 9.3, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 7.7, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 7.7 10V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 318 15V, Typical Rise Time (ns): 2.6, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 17, Typical Turn-On Delay Time (ns): 1.6, Вес, г: 0.01, Бренд: DIODES INC.

ZXMN3F30FHTA – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 53 ₽ за штуку. Купите ZXMN3F30FHTA по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.

Купить ZXMN3F30FHTA Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на ZXMN3F30FHTA вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.