ZXMN3A01FTA Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 2 A, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 806 мВт, Тип монтажа: Surface Mount, Ширина: 1.4мм, Высота: 1мм, Размеры: 3.05 x 1.4 x 1мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3.05, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 1.7 ns, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 6.6 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 120 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 30 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 3,9 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 190 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.29.00.95, Product Category: Power MOSFET, Process Technology: TMOS, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 30, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 2.5, Maximum Continuous Drain Current (A): 1.8, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 120@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 3.9@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 3.9, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 190@25V, Maximum Power Dissipation (mW): 806, Typical Fall Time (ns): 2.9, Typical Rise Time (ns): 2.3, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 6.6, Typical Turn-On Delay Time (ns): 1.7, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Packaging: Tape and Reel, Automotive: No, Standard Package Name: SOT-23, Pin Count: 3, Supplier Package: SOT-23, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 0.98, Package Length: 2.9, Package Width: 1.3, PCB changed: 3, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 3.05мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: DiodesZetex, Maximum Power Dissipation: 806 мВт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Height: 1мм, Transistor Material: Кремний, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Factory Pack Quantity: 3000, Fall Time: 2.9 ns, Forward Transconductance - Min: 3.5 S, Id - Continuous Drain Current: 2 A, Manufacturer: Diodes Incorporated, Minimum Operating Temperature: -55 C, Mounting Style: SMD/SMT, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: SOT-23-3, Pd - Power Dissipation: 625 mW, Product: MOSFET Small Signal, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 3.5 nC, Rds On - Drain-Source Resistance: 120 mOhms, Rise Time: 2.3 ns, Series: ZXMN3A01, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Type: MOSFET, Typical Turn-Off Delay Time: 6.6 ns, Typical Turn-On Delay Time: 1.7 ns, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V, Вес, г: 0.05, Бренд: DIODES INC.

ZXMN3A01FTA – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 53 ₽ за штуку. Купите ZXMN3A01FTA по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.

Купить ZXMN3A01FTA Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на ZXMN3A01FTA вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.