ZVN4206A Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 600 mA, Тип корпуса: E-Line, Максимальное рассеяние мощности: 700 мВт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.41мм, Высота: 4.01мм, Размеры: 4.77 x 2.41 x 4.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 4.77мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 12 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1 Ом, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 100 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 600 mA, Pd - рассеивание мощности: 700 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 12 ns, Время спада: 15 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 300 mS, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 4000, Серия: ZVN4206, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Bulk, Упаковка / блок: TO-92-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 600mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-92-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Through Hole, Maximum Continuous Drain Current (A): 0.6, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 1000 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Leakage Current (nA): 100, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 3, Maximum IDSS (uA): 10, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 700, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Number of Elements per Chip: 1, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Process Technology: DMOS, Product Category: Small Signal, Standard Package Name: TO-92, Supplier Package: E-Line, Typical Fall Time (ns): 15(Max), Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 100(Max)25V, Typical Rise Time (ns): 12(Max), Typical Turn-Off Delay Time (ns): 12(Max), Typical Turn-On Delay Time (ns): 8(Max), Вес, г: 0.17, Бренд: DIODES INC.

ZVN4206A – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 165 ₽ за штуку. Купите ZVN4206A по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.

Купить ZVN4206A Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на ZVN4206A вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.