BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92 Diodes

Id - непрерывный ток утечки: 120 mA, Pd - рассеивание мощности: 500 mW (1/2 W), Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 15 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 2000, Серия: BS107, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Bulk, Упаковка / блок: TO-92-3, Вес, г: 0.5, Бренд: DIODES INC.

BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,1 – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 388 ₽ за штуку. Купите BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.

Купить BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,1 Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.