DGTD65T60S2PT Diodes

Pd - рассеивание мощности: 428 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Бренд: DIODES INC.

DGTD65T60S2PT – артикул товара бренда Diodes с розничной ценой 1 623 ₽ за штуку. Купите DGTD65T60S2PT по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Diodes для наших постоянных клиентов.

Купить DGTD65T60S2PT Diodes в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Diodes и уточнить персональную цену на DGTD65T60S2PT вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.