Транзисторы полевые (13 брендов, 344 товара)

Купить Транзисторы полевые в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Транзисторы полевые в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

ИС драйвера затвора управления полевыми транзисторами на основе GaN 

Предлагаемый в 6-выводном корпусе SOT-23 и 6-выводном корпусе LLP с открытой контактной площадкой, LM5114 управляет силовыми полевыми транзисторами (FET) и MOSFET из нитрида галлия (GaN). Независимые выходы источника и потребителя от источника питания 5 В для оптимального времени нарастания и спада способствуют повышению эффективности, а диапазон одного источника питания от +4 до +12,6 В поддерживает ряд приложений. Среди других характеристик - 0,23 Ом с открытым стоком, понижающим, понижающим выходом; 7,6 / 1,3 А пиковый ток драйвера сток / исток; и типовая задержка распространения 12 нс.

Новый драйвер затвора семейства микросхем драйверов на полевых транзисторах на основе GaN от TI

 Texas Instruments Incorporated (TI) (NASDAQ: TXN) представила драйвер затвора нижнего плеча для использования с полевыми МОП-транзисторами и силовыми полевыми транзисторами из нитрида галлия (GaN). (Полевые транзисторы) в преобразователях мощности высокой плотности. Новый LM5114 управляет полевыми транзисторами на основе GaN и полевыми МОП-транзисторами в приложениях с низким уровнем мощности, таких как синхронные выпрямители и преобразователи коэффициента мощности. Вместе с LM5113, первым в отрасли полумостовым драйвером GaN FET на 100 В, анонсированным в 2011 году, семейство обеспечивает полное решение драйвера преобразования постоянного тока в изолированное для мощных GaN FET и MOSFET, используемых в высокопроизводительных телекоммуникационных, сетевых и приложения для центров обработки данных. 

LM5114 управляет как стандартными полевыми МОП-транзисторами, так и полевыми транзисторами на основе GaN, используя независимые выходы приемника и источника напряжения питания 5 В. Он имеет высокий пиковый ток отключения 7,6 А, необходимый в приложениях с высокой мощностью, где используются более крупные или параллельные полевые транзисторы. Повышенная прочность на вытягивание также позволяет ему правильно управлять полевыми транзисторами из GaN. Независимые выходы источника и стока исключают необходимость в диоде в тракте драйвера и позволяют точно контролировать время нарастания и спада.

Основные характеристики и преимущества драйвера затвора нижнего плеча LM5114

Независимые выходы источника и приемника для оптимизации времени нарастания и спада обеспечивают более высокую эффективность. Особенности нового устройства:

• Одиночный источник питания от +4 В до + 12,6 В поддерживает широкий спектр приложений.
• 0,23 Ом, открытый сток, понижающий, сток-выход предотвращает непреднамеренное включение.
• Пиковый ток драйвера приемника / истока 7,6 A / 1,3 A максимизирует устойчивость к изменению напряжения в зависимости от времени (DV / DT).
• Согласование времени задержки между инвертирующими и неинвертирующими входами снижает потери мертвого времени.
• Типичная задержка распространения 12 нс обеспечивает высокую частоту переключения при сохранении повышенной эффективности.
• До 14-В логических входов, независимо от VCC.
• Диапазон рабочих температур от -40 ° C до +125 ° C.

Генераторы на технологии полевых транзисторов

Генераторы импульсов высокого напряжения GIPO, доступные в блочной конфигурации или как автономные, могут генерировать импульсы, которые могут достигать 5,5 кВ с временем нарастания 2,5 нс. Благодаря регулируемой длине импульса от 200 нс до 30 мкс, они могут использоваться в приложениях, где необходимо быстро переключать высокое напряжение. Генераторы могут использоваться с ячейками Поккеля, многоканальными пластинами, усиленными ПЗС-матрицами, лазерными диодами и импульсными лампами.

Компания SDS (Systems Development & Solutions), базирующаяся во Франции, представила генераторы импульсов высокого напряжения, основанные на использовании технологии полевых транзисторов. Эти компактные генераторы GIPO могут генерировать импульсы, которые могут достигать 5,5 кВ с временем нарастания около 2,5 нс. Длительность импульса регулируется от 200 нс до 30 мкс. GIPO доступен либо в блочной конфигурации, либо как автономный блок.

Эти генераторы импульсов высокого напряжения могут использоваться в нескольких приложениях, где необходимо быстро переключать высокое напряжение. Серия GIPO может использоваться с:

• ячейками Поккеля
• многоканальными пластинами
• усиленными ПЗС-матрицами
• лазерными диодами
• импульсными лампами SDS производит линейку генераторов импульсов высокого напряжения и источников питания, основанных на этой технологии

Купить транзисторы полевые

Компания Олниса на своем сайте предлагает различные электронные компоненты от мировых производителей. Доставка осуществляется в страны СНГ и по территории Российской Федерации. На весь представленный товар сохраняется полная заводская гарантия.